Technické specifikace 1N5407
Technické specifikace SMC Diode Solutions - 1N5407, atributy, parametry a části s podobnými specifikacemi jako SMC Diode Solutions - 1N5407
| Atribut produktu | Hodnota atributu | |
|---|---|---|
| Výrobce | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 1.2 V @ 3 A | |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V | |
| Technika | Standard | |
| Dodavatel zařízení Package | DO-201AD | |
| Rychlost | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| Série | - | |
| Paket / krabice | DO-201AD, Axial |
| Atribut produktu | Hodnota atributu | |
|---|---|---|
| Balík | Tape & Box (TB) | |
| Provozní teplota - spojení | -65°C ~ 175°C | |
| Typ montáže | Through Hole | |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr | 5 µA @ 800 V | |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) | 3A | |
| Kapacitní @ Vr, F | 30pF @ 0V, 1MHz | |
| Číslo základního produktu | 1N540 |
Tři části napravo mají podobné specifikace jako SMC Diode Solutions 1N5407.
| Atribut produktu |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| Part Number | 1N5407 | 1N5406RLG | 1N5407-E3/73 | 1N5408 |
| Výrobce | SMC Diode Solutions | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diotec Semiconductor |
| Technika | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V | 600 V | 800 V | 1000 V |
| Číslo základního produktu | 1N540 | 1N5406 | 1N5407 | - |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr | 5 µA @ 800 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V |
| Paket / krabice | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial |
| Kapacitní @ Vr, F | 30pF @ 0V, 1MHz | - | 30pF @ 4V, 1MHz | - |
| Série | - | - | - | - |
| Balík | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
| Rychlost | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Dodavatel zařízení Package | DO-201AD | Axial | DO-201AD | DO15/DO204AC |
| Provozní teplota - spojení | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -50°C ~ 150°C | -50°C ~ 175°C |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 1.2 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A |
| Typ montáže | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Stáhněte si datové listy 1N5407 PDF a dokumentaci SMC Diode Solutions pro 1N5407 - SMC Diode Solutions.
1N5406RLGonsemiDIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL1N5407-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5408Diotec SemiconductorDIODE STD DO-201 1000V 3A1N5407-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5407onsemiDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
1N5407Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
1N5406GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
1N5406GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
1N5408onsemiDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5407-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5407Diotec SemiconductorDIODE STD DO-201 800V 3A1N5406GYangjie TechnologyDO-201AD 600V 3A Diodes Rectif1N5406_AY_10001PANJIT1N5407RLGonsemiDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL1N5407NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL1N5408SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5406G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD1N5408Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD| Společné země Logistický čas | ||
|---|---|---|
| Kraj | Země | Logistický čas (den) |
| Amerika | Spojené státy | 5 |
| Brazílie | 7 | |
| Evropa | Německo | 5 |
| Spojené království | 4 | |
| Itálie | 5 | |
| Oceánie | Austrálie | 6 |
| Nový Zéland | 5 | |
| Asie | Indie | 4 |
| Japonsko | 4 | |
| Střední východ | Izrael | 6 |
| Odkaz na odeslání DHL & FedEx Reference | |
|---|---|
| Poplatky za zásilka (kg) | Reference DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1,00 kg | $ 30,00 USD - 60,00 USD |
| 1,00 kg-2,00 kg | 40,00 USD - 80,00 USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | 50,00 USD - 100,00 USD |
Chcete lepší cenu? Přidat do vozíku a odeslat RFQ Nyní vás okamžitě kontaktujeme.