Technické specifikace 1N4006G
Technické specifikace SMC Diode Solutions - 1N4006G, atributy, parametry a části s podobnými specifikacemi jako SMC Diode Solutions - 1N4006G
| Atribut produktu | Hodnota atributu | |
|---|---|---|
| Výrobce | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 1 V @ 1 A | |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V | |
| Technika | Standard | |
| Dodavatel zařízení Package | DO-41 | |
| Rychlost | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| Série | - | |
| Paket / krabice | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Atribut produktu | Hodnota atributu | |
|---|---|---|
| Balík | Tape & Reel (TR) | |
| Provozní teplota - spojení | -65°C ~ 175°C | |
| Typ montáže | Through Hole | |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr | 5 µA @ 800 V | |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) | 1A | |
| Kapacitní @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz | |
| Číslo základního produktu | 1N400 |
Tři části napravo mají podobné specifikace jako SMC Diode Solutions 1N4006G.
| Atribut produktu |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| Part Number | 1N4006G | 1N4006 | 1N4006FFG | 1N4006-E3/54 |
| Výrobce | SMC Diode Solutions | SMC Diode Solutions | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V | 800 V | 800 V | 800 V |
| Balík | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| Typ montáže | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Kapacitní @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | - | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| Série | - | - | - | - |
| Technika | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Číslo základního produktu | 1N400 | 1N400 | 1N4006 | 1N4006 |
| Rychlost | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V |
| Paket / krabice | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Dodavatel zařízení Package | DO-41 | DO-41 | Axial | DO-204AL (DO-41) |
| Provozní teplota - spojení | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
Stáhněte si datové listy 1N4006G PDF a dokumentaci SMC Diode Solutions pro 1N4006G - SMC Diode Solutions.
1N4006SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006FFGonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL1N4006-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
1N4007EIC SEMICONDUCTOR INC.DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
1N4006-E3/51Electro-Films (EFI) / Vishay1N4007NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4007onsemiDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006GonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL1N4006NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4007SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
1N4006Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4007Diotec SemiconductorDIODE STD DO-41 1000V 1A1N4006_AY_10001PANJIT1N4006onsemiDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006G-T-S-NTRectron USA1N4006GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4007Rectron USADIODE GEN PURP 1KV 1A DO41| Společné země Logistický čas | ||
|---|---|---|
| Kraj | Země | Logistický čas (den) |
| Amerika | Spojené státy | 5 |
| Brazílie | 7 | |
| Evropa | Německo | 5 |
| Spojené království | 4 | |
| Itálie | 5 | |
| Oceánie | Austrálie | 6 |
| Nový Zéland | 5 | |
| Asie | Indie | 4 |
| Japonsko | 4 | |
| Střední východ | Izrael | 6 |
| Odkaz na odeslání DHL & FedEx Reference | |
|---|---|
| Poplatky za zásilka (kg) | Reference DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1,00 kg | $ 30,00 USD - 60,00 USD |
| 1,00 kg-2,00 kg | 40,00 USD - 80,00 USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | 50,00 USD - 100,00 USD |
Chcete lepší cenu? Přidat do vozíku a odeslat RFQ Nyní vás okamžitě kontaktujeme.