Technické specifikace IRLML5103GTRPBF
Technické specifikace Infineon Technologies - IRLML5103GTRPBF, atributy, parametry a části s podobnými specifikacemi jako Infineon Technologies - IRLML5103GTRPBF
| Atribut produktu | Hodnota atributu | |
|---|---|---|
| Výrobce | Infineon Technologies | |
| Napětí - Test | 75pF @ 25V | |
| Napětí - Rozdělení | Micro3™/SOT-23 | |
| Vgs (th) (max) 'Id | 600 mOhm @ 600mA, 10V | |
| Vgs (Max) | 4.5V, 10V | |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HEXFET® | |
| Stav RoHS | Cut Tape (CT) | |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 760mA (Ta) | |
| Polarizace | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Ostatní jména | IRLML5103GTRPBFCT | |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Atribut produktu | Hodnota atributu | |
|---|---|---|
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Výrobní standardní doba výroby | 10 Weeks | |
| Výrobní číslo výrobce | IRLML5103GTRPBF | |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 5.1nC @ 10V | |
| Typ IGBT | ±20V | |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 1V @ 250µA | |
| FET Feature | P-Channel | |
| Rozšířený popis | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | - | |
| Popis | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 | |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 30V | |
| kapacitní Ratio | 540mW (Ta) |
Tři části napravo mají podobné specifikace jako Infineon Technologies IRLML5103GTRPBF.
| Atribut produktu |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| Part Number | IRLML5103GTRPBF | IRLML5203GTRPBF | IRLML2803GTRPBF | IRLML2803TRPBF |
| Výrobce | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Typ montáže | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 1V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 5 nC @ 10 V |
| Stav RoHS | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | - |
| Napětí - Rozdělení | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | - |
| Výrobní číslo výrobce | IRLML5103GTRPBF | IRLML5203GTRPBF | IRLML2803GTRPBF | - |
| Série | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | - | - | - | 30 V |
| Výrobní standardní doba výroby | 10 Weeks | 13 Weeks | 10 Weeks | - |
| FET Feature | P-Channel | P-Channel | N-Channel | - |
| Napětí - Test | 75pF @ 25V | 510pF @ 25V | 85pF @ 25V | - |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Rozšířený popis | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | P-Channel 30V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | - |
| Ostatní jména | IRLML5103GTRPBFCT | IRLML5203GTRPBF-ND IRLML5203GTRPBFTR SP001567222 |
IRLML2803GTRPBFCT | - |
| Polarizace | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 5.1nC @ 10V | 14nC @ 10V | 5nC @ 10V | 85 pF @ 25 V |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 760mA (Ta) | 3A (Ta) | 1.2A (Ta) | 250mOhm @ 910mA, 10V |
| Vgs (th) (max) 'Id | 600 mOhm @ 600mA, 10V | 98 mOhm @ 3A, 10V | 250 mOhm @ 910mA, 10V | 1V @ 250µA |
| kapacitní Ratio | 540mW (Ta) | 1.25W (Ta) | 540mW (Ta) | - |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 30V | 30V | 30V | 1.2A (Ta) |
| Typ IGBT | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| Vgs (Max) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | ±20V |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | - |
| Popis | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 | - |
Stáhněte si datové listy IRLML5103GTRPBF PDF a dokumentaci Infineon Technologies pro IRLML5103GTRPBF - Infineon Technologies.
IRLML5203GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
IRLML5103SIPUSEMIIRLML5103TRPBF.IRIRLML2803GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3IRLML4202TRPBFIRIRLML2803TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23IRLML5103GTRPBF.IR
IRLML2803PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLML5203GPBFIRIRLML2803TRPBF MOSIRIRLML5203Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23IRLML5103TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23IRLML5103TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 760MA SOT23IRLML5103GPBFIRIRLML5103TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLML2803TRPBF-1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23IRLML5103TRPBF-1IRIRLML2803TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23| Společné země Logistický čas | ||
|---|---|---|
| Kraj | Země | Logistický čas (den) |
| Amerika | Spojené státy | 5 |
| Brazílie | 7 | |
| Evropa | Německo | 5 |
| Spojené království | 4 | |
| Itálie | 5 | |
| Oceánie | Austrálie | 6 |
| Nový Zéland | 5 | |
| Asie | Indie | 4 |
| Japonsko | 4 | |
| Střední východ | Izrael | 6 |
| Odkaz na odeslání DHL & FedEx Reference | |
|---|---|
| Poplatky za zásilka (kg) | Reference DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1,00 kg | $ 30,00 USD - 60,00 USD |
| 1,00 kg-2,00 kg | 40,00 USD - 80,00 USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | 50,00 USD - 100,00 USD |
Chcete lepší cenu? Přidat do vozíku a odeslat RFQ Nyní vás okamžitě kontaktujeme.