Name: onsemi NVH4L080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: NVH4L080N120SC1

náklad

Dodací lhůta

Položky ve skladu lze odeslat do 24 hodin.Některé části budou uspořádány k doručení do 1-2 dnů ode dne, kdy všechny položky dorazí do našeho skladu.A Allelco lodě objednávají jednou denně v 17:00, s výjimkou neděle.Jakmile je zboží odesláno, odhadovaná dodací lhůta závisí na metodách přepravy a na cíl dodání.Tabulka níže ukazuje, že je logistický čas pro některé běžné země.

Náklady na doručení

Pokud máte, použijte svůj expresní účet pro zásilku.
Použijte náš účet pro zásilku.Přibližné poplatky najdete v níže uvedené tabulce.

(Různé časové rámec / země / velikost balíku má odlišnou cenu.)

Metoda doručení

Globální společná zásilka DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF podporujeme.
Ostatní více způsobů přepravy, prosím, kontaktujte se s manažerem zákazníka.

Společné země Logistický čas
Kraj	Země	Logistický čas (den)
Amerika	Spojené státy	5
Amerika	Brazílie	7
Evropa	Německo	5
	Spojené království	4
	Itálie	5
Oceánie	Austrálie	6
Oceánie	Nový Zéland	5
Asie	Indie	4
Asie	Japonsko	4
Střední východ	Izrael	6

Odkaz na odeslání DHL & FedEx Reference
Poplatky za zásilka (kg)	Reference DHL (USD $)
0,00 kg-1,00 kg	$ 30,00 USD - 60,00 USD
1,00 kg-2,00 kg	40,00 USD - 80,00 USD
2,00 kg-3,00 kg	50,00 USD - 100,00 USD

Poznámka:: Výše uvedená tabulka je pouze pro informaci.Pro nekontrolovatelné faktory může mít určité zkreslení dat.
Pokud máte nějaké dotazy, kontaktujte nás.

Atribut produktu	Hodnota atributu
Výrobce	onsemi
Vgs (th) (max) 'Id	4.3V @ 5mA
Vgs (Max)	+25V, -15V
Technika	SiCFET (Silicon Carbide)
Dodavatel zařízení Package	TO-247-4L
Série	Automotive, AEC-Q101
RDS On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Ztráta energie (Max)	170mW (Tc)
Paket / krabice	TO-247-4
Balík	Tube

Atribut produktu	Hodnota atributu
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 800 V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 20 V
Typ FET	N-Channel
FET Feature	-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)	20V
Drain na zdroj napětí (Vdss)	1200 V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)
Číslo základního produktu	NVH4L080

Atribut produktu
Part Number	NVH4L080N120SC1	NVHL040N120SC1	AUIRFR5305TR	ZVN4210A
Výrobce	onsemi	onsemi	Infineon Technologies	Diodes Incorporated
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)	60A (Tc)	31A (Tc)	450mA (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole	Through Hole	Surface Mount	Through Hole
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)	20V	20V	-	5V, 10V
Vgs (th) (max) 'Id	4.3V @ 5mA	4.3V @ 10mA	4V @ 250µA	2.4V @ 1mA
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 800 V	1781 pF @ 800 V	1200 pF @ 25 V	100 pF @ 25 V
Ztráta energie (Max)	170mW (Tc)	348W (Tc)	-	700mW (Ta)
Číslo základního produktu	NVH4L080	NVHL040	AUIRFR5305	ZVN4210
Vgs (Max)	+25V, -15V	+25V, -15V	-	±20V
Technika	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 20 V	106 nC @ 20 V	63 nC @ 10 V	-
Typ FET	N-Channel	N-Channel	P-Channel	N-Channel
Drain na zdroj napětí (Vdss)	1200 V	1200 V	55 V	100 V
Balík	Tube	Tube	Tape & Reel (TR)	Bulk
Dodavatel zařízení Package	TO-247-4L	TO-247-3	D-Pak	TO-92
RDS On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V	56mOhm @ 35A, 20V	65mOhm @ 16A, 10V	1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Paket / krabice	TO-247-4	TO-247-3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Série	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101	HEXFET®	-
FET Feature	-	-	-	-

Viz anglická verze jako naši oficiální verzi.

NVH4L080N120SC1 - onsemi

Specifikace

Díly s podobnými specifikacemi

NVH4L080N120SC1 Datasheet PDF

Zájemce se také zajímá

Doporučené produkty

náklad

Dodací lhůta

Náklady na doručení

Metoda doručení

Podpora plateb

Váš věrný partner dodavatelského řetězce -

Pokud máte nějaké dotazy, kontaktujte nás.

Certifikace a členství