Name: onsemi NTH4L080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: NTH4L080N120SC1

náklad

Dodací lhůta

Položky ve skladu lze odeslat do 24 hodin.Některé části budou uspořádány k doručení do 1-2 dnů ode dne, kdy všechny položky dorazí do našeho skladu.A Allelco lodě objednávají jednou denně v 17:00, s výjimkou neděle.Jakmile je zboží odesláno, odhadovaná dodací lhůta závisí na metodách přepravy a na cíl dodání.Tabulka níže ukazuje, že je logistický čas pro některé běžné země.

Náklady na doručení

Pokud máte, použijte svůj expresní účet pro zásilku.
Použijte náš účet pro zásilku.Přibližné poplatky najdete v níže uvedené tabulce.

(Různé časové rámec / země / velikost balíku má odlišnou cenu.)

Metoda doručení

Globální společná zásilka DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF podporujeme.
Ostatní více způsobů přepravy, prosím, kontaktujte se s manažerem zákazníka.

Společné země Logistický čas
Kraj	Země	Logistický čas (den)
Amerika	Spojené státy	5
Amerika	Brazílie	7
Evropa	Německo	5
	Spojené království	4
	Itálie	5
Oceánie	Austrálie	6
Oceánie	Nový Zéland	5
Asie	Indie	4
Asie	Japonsko	4
Střední východ	Izrael	6

Odkaz na odeslání DHL & FedEx Reference
Poplatky za zásilka (kg)	Reference DHL (USD $)
0,00 kg-1,00 kg	$ 30,00 USD - 60,00 USD
1,00 kg-2,00 kg	40,00 USD - 80,00 USD
2,00 kg-3,00 kg	50,00 USD - 100,00 USD

Poznámka:: Výše uvedená tabulka je pouze pro informaci.Pro nekontrolovatelné faktory může mít určité zkreslení dat.
Pokud máte nějaké dotazy, kontaktujte nás.

Atribut produktu	Hodnota atributu
Výrobce	onsemi
Vgs (th) (max) 'Id	4.3V @ 5mA
Vgs (Max)	+25V, -15V
Technika	SiCFET (Silicon Carbide)
Dodavatel zařízení Package	TO-247-4L
Série	-
RDS On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Ztráta energie (Max)	170W (Tc)
Paket / krabice	TO-247-4
Balík	Tube

Atribut produktu	Hodnota atributu
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 800 V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 20 V
Typ FET	N-Channel
FET Feature	-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)	20V
Drain na zdroj napětí (Vdss)	1200 V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)
Číslo základního produktu	NTH4L080

Atribut produktu
Part Number	NTH4L080N120SC1	NTH4L040N65S3F	NTH4L040N120SC1	NTH5G16P40B473J07TH
Výrobce	onsemi	onsemi	onsemi	Murata Power Solutions
Dodavatel zařízení Package	TO-247-4L	TO-247-4L	TO-247-4L	-
Vgs (Max)	+25V, -15V	±30V	+25V, -15V	-
Typ montáže	Through Hole	Through Hole	Through Hole	-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 800 V	5940 pF @ 400 V	1762 pF @ 800 V	-
Číslo základního produktu	NTH4L080	NTH4L040	NTH4L040	-
Paket / krabice	TO-247-4	TO-247-4	TO-247-4	-
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
Technika	SiCFET (Silicon Carbide)	MOSFET (Metal Oxide)	SiCFET (Silicon Carbide)	-
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)	65A (Tc)	58A (Tc)	-
Drain na zdroj napětí (Vdss)	1200 V	650 V	1200 V	-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)	20V	10V	20V	-
Vgs (th) (max) 'Id	4.3V @ 5mA	5V @ 2.1mA	4.3V @ 10mA	-
FET Feature	-	-	-	-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 20 V	158 nC @ 10 V	106 nC @ 20 V	-
Balík	Tube	Tube	Tube	-
RDS On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V	40mOhm @ 32.5A, 10V	56mOhm @ 35A, 20V	-
Ztráta energie (Max)	170W (Tc)	446W (Tc)	319W (Tc)	-
Série	-	FRFET®, SuperFET® III	-	-
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-

Viz anglická verze jako naši oficiální verzi.

NTH4L080N120SC1 - onsemi

Specifikace

Díly s podobnými specifikacemi

NTH4L080N120SC1 Datasheet PDF

Zájemce se také zajímá

Doporučené produkty

náklad

Dodací lhůta

Náklady na doručení

Metoda doručení

Podpora plateb

Váš věrný partner dodavatelského řetězce -

Pokud máte nějaké dotazy, kontaktujte nás.

Certifikace a členství