Společnost Samsung uvádí na trh 12nm úroveň 32 GB DDR5 DRAM, což podporuje až 128 GB paměťové moduly
Podle WCCFTECH společnost Samsung oznámila spuštění prvního 32 GB DDR5 DRAM řešení na světě založené na 12nm procesní technologii, která může podporovat až 128 GB paměťových modulů.
Doposud výrobci paměti, jako jsou SK Hynix a Micron, poskytli 24 GB DDR5 DRAM, které mohou dosáhnout 96 GB paměťového řešení, ale Samsung zvýšil kapacitu o 33,3% s řešením 12nm.Současně Micron také potvrdil spuštění 32 GB DDR5 DRAM, ale zatím byl vydán pouze plán.
Společnost Samsung oznámila začátek hromadné výroby 12nm úrovně 16 GB DDR5 DRAM v květnu tohoto roku.Nový 12nm úroveň 32 GB DDR5 DRAM je plánován na zahájení hromadné výroby na konci tohoto roku.
Samsung uvedl, že s 12nm úrovní 32 GB DRAM, řešení, které může dosáhnout až 1 TB DRAM modulů, může uspokojit rostoucí poptávku po vysokokapacitním DRAM v éře umělé inteligence.
Společnost Samsung vyvinula své první 64 kB DRAM v roce 1983 a za posledních čtyřicet let úspěšně zvýšila kapacitu DRAM o 500 000krát.
Nejnovější paměťové produkty společnosti Samsung jsou vyvíjeny pomocí špičkových procesů a technologií pro zlepšení hustoty integrace a optimalizace návrhu.Mají nejvyšší kapacitu čipového čipu v oboru a poskytují dvojnásobek kapacity 16 GB DDR5 DRAM ve stejné velikosti obalu.
Dříve moduly DDR5 128GB DRAM vyrobené pomocí 16 GB DRAM vyžadovaly použití technologie křemíku prostřednictvím otvoru (TSV).Nyní, pomocí Samsung 32GB DRAM, lze 128 GB moduly vyrobit bez použití technologie TSV a přitom snížit spotřebu energie asi o 10% ve srovnání s 128 GB moduly pomocí 16 GB DRAM.Díky tomuto technologickému průlomu je tento produkt jedním z nejlepších řešení pro podniky s vědomím energetické účinnosti, jako jsou datová centra.
Na základě 12nm úrovně 32 GB DDR5 DRAM plánuje společnost Samsung pokračovat v rozšiřování své vysokokapacitní produktové řady DRAM, aby vyhovovala současným a budoucím potřebám výpočetních a IT průmyslových odvětví.Společnost Samsung znovu potvrdí své vedoucí postavení na trhu DRAM příští generace tím, že poskytne zákazníkům 12nm úroveň 32 GB DRAM v datových centrech, umělé inteligenci a výpočetních aplikacích nové generace.
Společnost Samsung oznámila začátek hromadné výroby 12nm úrovně 16 GB DDR5 DRAM v květnu tohoto roku.Nový 12nm úroveň 32 GB DDR5 DRAM je plánován na zahájení hromadné výroby na konci tohoto roku.
Samsung uvedl, že s 12nm úrovní 32 GB DRAM, řešení, které může dosáhnout až 1 TB DRAM modulů, může uspokojit rostoucí poptávku po vysokokapacitním DRAM v éře umělé inteligence.
Společnost Samsung vyvinula své první 64 kB DRAM v roce 1983 a za posledních čtyřicet let úspěšně zvýšila kapacitu DRAM o 500 000krát.
Nejnovější paměťové produkty společnosti Samsung jsou vyvíjeny pomocí špičkových procesů a technologií pro zlepšení hustoty integrace a optimalizace návrhu.Mají nejvyšší kapacitu čipového čipu v oboru a poskytují dvojnásobek kapacity 16 GB DDR5 DRAM ve stejné velikosti obalu.
Dříve moduly DDR5 128GB DRAM vyrobené pomocí 16 GB DRAM vyžadovaly použití technologie křemíku prostřednictvím otvoru (TSV).Nyní, pomocí Samsung 32GB DRAM, lze 128 GB moduly vyrobit bez použití technologie TSV a přitom snížit spotřebu energie asi o 10% ve srovnání s 128 GB moduly pomocí 16 GB DRAM.Díky tomuto technologickému průlomu je tento produkt jedním z nejlepších řešení pro podniky s vědomím energetické účinnosti, jako jsou datová centra.
Na základě 12nm úrovně 32 GB DDR5 DRAM plánuje společnost Samsung pokračovat v rozšiřování své vysokokapacitní produktové řady DRAM, aby vyhovovala současným a budoucím potřebám výpočetních a IT průmyslových odvětví.Společnost Samsung znovu potvrdí své vedoucí postavení na trhu DRAM příští generace tím, že poskytne zákazníkům 12nm úroveň 32 GB DRAM v datových centrech, umělé inteligenci a výpočetních aplikacích nové generace.