na 2024/10/24 177

Průvodce tranzistorem 2N1711: Pinout, specifikace a ekvivalentní modely

2N1711 je tranzistor NPN na bázi křemíku umístěný v odolném kovovém balíčku až 39.Známý pro svou spolehlivost, je to oblíbená volba pro navrhování vysoce výkonných zesilovačů, oscilátorů a přepínacích obvodů.S pozoruhodnými specifikacemi, jako je napětí sběratele a emitoru 50V a proud sběratele až 3a, je 2N1711 vhodný pro náročné aplikace.Tento článek se vrhá do klíčových prvků, praktických aplikací a výhod používání 2N1711, což ukazuje, proč zůstává součástí přesných elektronických návrhů.

Katalog

Porozumění 2nn1711

The 2N1711 Transistor, uzavřený v kovovém balíčku To-39, hraje rozmanité role, jako je přepínání, zesílení a oscilace.Zpracovává až 500 mA sběratelského proudu při přepínání a vydrží špičkové kolektorové proudy až do 1A, adeptly řídí krátké přepětí vysokého proudu.Díky této schopnosti je 2N1711 spolehlivou volbou pro obvody, které vyžadují rychlé a dynamické reakce.

Ve svých praktických aplikacích svítí flexibilní povaha 2N1711.Vyniká v rychle přepínacích proudech, takže je vhodná pro řadu použití od přímého zesílení signálu až po složité oscilační úkoly.Jeho robustní design zajišťuje spolehlivý provoz v různých elektronických nastaveních, zrcadlí lekce získané ze skutečného použití, kde na přesnosti a stálosti záleží.

Nasazení 2N1711 zdůrazňuje jeho potřebnou roli.Například v obvodech zesílení zvuku může výrazně zvýšit čistotu a věrnost.Tato vylepšení ukazují, že i s technologickým pokrokem zůstávají tradiční komponenty, jako je 2N1711, nápomocné při dosahování výjimečného výkonu.

Konfigurace 2N1711 PIN

Technické specifikace

Typ	Parametr
Mount	Skrz díru
Typ montáže	Skrz díru
Balíček / pouzdro	To-205ad, to-39-3 kov plechovka
Počet kolíků	3
Hmotnost	4.535924G
Materiál tranzistorového prvku	Křemík
Napětí rozkladu sběratele-emiter	50v
Počet prvků	1
HFE (min)	40
Provozní teplota	175 ° C TJ
Obal	Trubice
JESD-609 kód	E3
Kód PBFree	Ano
Stav dílu	Zastaralý
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)	1 (neomezený)
Počet zakončení	3
Terminál povrch	Matte Tin (SN)
Napětí - jmenovité DC	75V
Maximální rozptyl energie	800MW
Poloha terminálu	Dno
Terminální forma	Drát
Aktuální hodnocení	500 mA
Frekvence	100 MHz
Číslo základní dílu	2n17
Počet špendlíků	3
Konfigurace prvku	Singl
Rozptyl energie	800MW
Transistorová aplikace	Přepínání
Získejte produkt šířky pásma	100 MHz
Typ polarity/kanálu	Npn
Typ tranzistoru	Npn
Napětí emitoru kolektoru (VCEO)	50v
MAX Collector Current	500 mA
DC aktuální zisk (HFE) @ ic, VCE	35 @ 100ma, 10V
Aktuální - sběratelský metroff (max)	10na icbo
Vce saturace (max) @ ib, IC	1,5 V @ 15 mA, 150 mA
Frekvence přechodu	100 MHz
Sběratelské základní napětí (VCBO)	75V
Napětí základního základu (VEBO)	7v
Výška	6,6 mm
Délka	9,4 mm
Šířka	9,4 mm
Kalení záření	Žádný
Stav ROHS	Rohs3 vyhovující
Olovo zdarma	Olovo zdarma

Funkce 2N1711

Funkce	Popis
Typ balíčku	To-39
Typ tranzistoru	Npn
MAX Collector Current (IC)	500 Ma
MAX sběratel-emitorové napětí (VCE)	50 v
MAX napětí sběratelského základny (VCB)	75 v
Max Emiter-Base napětí (VBE)	7 v
Disipace sběratele Max (PC)	800 MW
Maximální přechodná frekvence (FT)	100 MHz
Minimální a maximální zisk DC (HFE)	100 až 300
Maximální skladování, provozní a křižovatka teploty	-65 ° C až 200 ° C.

Výhody tranzistoru 2.1711

Vylepšená správa napětí

Známý pro svou odolnost při manipulaci s zvýšeným napětím, 2N1711 stojí jako strážce proti rozkladu.V návrzích napájení a zajištění spolehlivosti pod stresem je zjevnější.Výběrem komponent s takovou vytrvalostí napětí, elektronika vydrží a prospívá v náročných podmínkách a nabízí klid mysli těm, kteří se na ně spoléhají.

Efektivní využití energie

Vykazující minimální únik proudu, 2N1711 optimalizuje účinnost obvodu minimalizací neopodstatněného využití energie během nečinnosti.Zejména v zařízeních napájených z baterií se tato vlastnost stává požehnáním a prodlouží intervaly mezi náboji a vychovává životnost zařízení.S touto funkcí si můžete často vybrat tranzistory pro vytvoření udržitelnějších návrhů.

Přesnost signálu s minimálním rušením

Díky nízké kapacitance tento tranzistor minimalizuje narušení vysokofrekvenčních signálů a stává se pilířem spolehlivosti v RF aplikacích.Tam, kde je vyhledáno jasnost a přesnost, takový výkon zajišťuje, že komunikační zařízení udržují integritu signálu a vyvolávají důvěru ve své uživatele.

Všestranná aktuální manipulace pro stabilní výkon

Široký proudový rozsah spojený se stabilní beta beta nabízí přizpůsobivost ve scénářích zesílení a půvabně přizpůsobuje různým zatížením bez podstatných výkyvů při zisku.Tento atributy zefektivňuje procesy návrhu a poskytuje konzistentní výkon v různých operačních krajinách.Tranzistory s těmito vlastnostmi jsou upřednostňovány pro jejich spolehlivost při poskytování předvídatelných odpovědí obvodu.

Aplikace 2N1711

Schopnosti přepínání

Tranzistor 2N1711 často najde místo v různých přepínacích aplikacích.Jeho solidní stavba je vhodná pro manipulaci se středním výkonem bez námahy, a to i v náročných scénářích.Můžete to upřednostňovat pro obvody, které potřebují rychlé přechody, které využívají jeho spolehlivé přepínací znalosti, aby se zvýšila reakci systému.Zkušenost ukazuje, že jeho stabilní výkon za různých podmínek z něj činí důvěryhodnou volbu pro dynamické systémy.

Amplifikace zvuku

V nastavení zvuku funguje 2N1711 jako kompetentní zesilovač.Můžete ocenit jeho schopnost zvyšovat čistotu zvuku zesílením signálů s minimálním zkreslením.Jeho role v analogových obvodech zdůrazňuje jeho význam při udržování integrity signálu, která je aktivní pro vysoce věrný zvuk.Často se k tomu můžete obrátit na audio projekty pro kutily a ocenit jeho přesnost a spolehlivost.

Předběžné amplifikace

Doména pre-amplifikace je další oblast, kde svítí 2N1711.Připravuje signály na další amplifikační fáze a zajišťuje, že výstupy jsou jasné a věrné.Jeho profil s nízkým šumem způsobuje, že se hodí pro citlivé zvukové a radiofrekvenční aplikace, kde včasná kvalita signálu hraje hlavní roli ve výsledku.Použití 2N1711 v pre-amplifikaci může výrazně zvýšit výkon.

RF aplikace

Dosah 2N1711 se vztahuje na radiofrekvenční úkoly, kde efektivně zpracovává RF signály.Díky jeho schopnosti pracovat na vysokých frekvencích je oceňována v RF obvodech.Můžete záviset na její stabilitě a přesnosti, abyste udrželi konzistentní kvalitu komunikace, kde je aktivní udržování síly signálu proti interferenci.Skutečné použití této komponenty často zdůrazňuje svou hlavní roli v technologickém pokroku RF.

Obecné zesílení signálu

Kromě specifických aplikací se pro amplifikaci obecného signálu používá 2N1711.Pomáhá v projektech od malé elektroniky po komplexní návrhy obvodů a nabízí užitečné funkce zesílení.Její flexibilita umožňuje snadno splňovat různé požadavky obvodů a důsledně poskytovat vynikající výsledky v mnoha aplikacích.Tato všestrannost ztělesňuje širší strategii používání adaptabilních komponent pro zjednodušení návrhu a provádění v různých technologických podnicích.

Alternativy k tranzistoru 2.1711

-2N3019

Funkce obvodu 2N1711

Podrobnosti o obvodu

Tranzistor 2N1711 představuje pozoruhodnou přizpůsobivost, hladce se přizpůsobuje společné základně, společném emitoru a společném sběratelské konfiguraci.Každé nastavení nabízí své výhody.Zejména běžné nastavení emitoru je váženo působivým napětím a výkonem.Často zvyšuje sílu vstupního signálu přibližně o 20 dB, což se překládá na stonásobné zvýšení.Zde sběratelské napětí překonává základní napětí, zatímco proud emitoru zahrnuje jak základní i kolektorové proudy, což ukazuje na kumulativní proud.

Dopingové variace hrají klíčovou roli v tranzistorových operacích.Emitor podléhá těžkému dopingu, čímž se snižuje odolnost a zvyšuje vstřikování elektronů.Naopak, sběratel dostává lehký doping, aby usnadnil efektivní sběr a minimalizoval ztrátu energie.Tyto rozdíly formují znaky zesílení a zajišťují spolehlivost napříč různými aplikacemi.

Pochopení současného amplifikačního faktoru, označeného beta (β), pomáhá při vytváření účinných obvodů.Definuje poměr proudu kolektoru k založenému proudu a pomáhá vám při předpovídání chování tranzistoru za různých podmínek.Praktické aplikace zdůrazňují, jak pečlivá kontrola β může významně ovlivnit výkon obvodu, což ovlivňuje rozhodnutí, kde se používají stabilita a účinnost.

Rozměry

Podrobnosti výrobce

Stmicroelectronics se objevuje jako podstatná síla v polovodičovém sektoru, oslavovaná pro své průkopnické inovace.V popředí mikroelektroniky prosvítají odborné znalosti společnosti díky špičkovým schopnostem, zejména v technologiích systému na čipu (SOC).Jejich řešení pokrývají širokou škálu polí a hluboce se vloží do automobilového, průmyslového, osobního elektroniky a komunikačních sektorů a představují jejich dalekosáhlý vliv.

Hlasová zdatnost STMicroelectronics v SOC technologie je počátečním prvkem jejich úspěchu, což usnadňuje sloučení složitých funkcí do sjednocených složek.Zdokonalováním těchto řešení hluboce ovlivnila účinnost a výkon elektronických zařízení.Tato strategie maximalizuje prostorovou a energetickou účinnost a zároveň zvyšuje uživatelské zkušenosti na různých platformách, což odráží jejich odhodlání k postupu a dokonalosti.

DataSheet PDF

2N1711 Datasheets:

2n1711.pdf

2N3019 Datasheets:

2N3019.pdf

Často kladené otázky [FAQ]

1. Jaké je použití 2N1711?

2N1711 je NPN tranzistor na bázi křemíku.Najde své místo ve vysoce výkonných prostředích, jako jsou zesilovače, oscilátory a přepínače.Jeho konstrukce většinou svítí v amplifikaci nízkého šumu, což z něj činí preferovanou volbu pro použití zvukové a radiofrekvenční použití.Ve skutečných aplikacích je vážena pro zvýšení čistoty signálu v komunikačních zařízeních a citlivou elektroniku.Studium úspěšných implementací zdůrazňuje, jak výběr komponent ovlivňuje celkový výkon systému.

2. Jak funguje 2N1711?

2N1711 pracuje jako bipolární spojovací tranzistor (BJT) a používá pro vedení otvory i elektrony.Nanesením kladného napětí na základnu moduluje tranzistor větší proudy mezi emitorem a kolektorem a funguje jako proudový zesilovač.Tento proces umožňuje přesnou kontrolu v elektronických obvodech a představuje svou roli v regulaci a modulaci signálu.Poznatky z průmyslu ukazují, že dovedná manipulace se základním proudem může výrazně zvýšit výkon tranzistoru a ilustruje složitosti strategického elektronického inženýrství.